транзисторы pnp и npn перехода

(удельная электрическая проницаемость на площадь p-n перехода, деленная на четыре пи на ширину - Reffine.com

Физические основы действия современных компьютеров

Страница 4 (удельная электрическая проницаемость на площадь p-n перехода, деленная на четыре пи на ширину запорного слоя.

Физические характеристики, такие как ток пробоя, допустимые температуры работы, допустимая мощность рассеяния, мощность прибора и т.п. зависят от материала и и способа исполнения прибора.

Биполярные транзисторы.

Биполярный транзистор монокристалл полупроводника, в котором созданы три области с чередующимися типами проводимости (p-n-p или n-p-n). Среднюю область называют базой, а крайние коллектором и эмиттером. Переход между эмиттером и базой эмиттерный переход, между базой и коллектором коллекторный.

Назначение эмиттерного перехода впрыскивание (инжекция) основных носителей эмиттера в базовую область.

Инжекция эмиттерного перезода оценивается через коэффициент инжекции:

(отношение эмиттерного тока, обусловленного носителями эмиттера к общему току эмиттера, созданному как основными носителями эмиттера, так и основными носителями базы). Для повышения эффективности эмиттера и уменьшения составляющей тока основных носителей базы область эмиттера делают с большей концентрацией основных носителей, нежели область базы.

Для базы инжектированные эмиттером носителями являются неосновными. При прямо смещении эмиттерного перехода вблизи него в базе возникает значительный рост неосновных носителей. Создается диффузионный поток от эмиттерного перехода к коллекторному (где их наоборот недостаток). Под действием ускоряющего поля неосновные носители базы втягиваются в область коллектора, что создает управляемый коллекторный ток Iку в его цепи.

source